nsBAS EN IEC 60749-34-1:2026

Standard opisuje metodu ispitivanja koja se koristi za određivanje sposobnosti poluprovodničkih energetskih modula da izdrže termička i mehanička naprezanja koja nastaju usljed cikličkog rasipanja snage unutrašnjih poluprovodnika i unutrašnjih konektora. Zasnovan je na IEC 60749-34, ali je razvijen posebno za proizvode poluprovodničkih energetskih modula, uključujući bipolarni tranzistor sa izolovanim gejtom (IGBT), metal-oksid-poluprovodnički tranzistor sa efektom polja (MOSFET), diodu i tiristor. Ako postoji zahtjev kupca za individualnu upotrebu ili smjernice specifične za primjenu (na primjer ECPE smjernice AQG 324), detalji metode ispitivanja mogu se zasnivati ​​na tim zahtjevima ako odstupaju od sadržaja ovog dokumenta. Ovo ispitivanje je uzrokovalo habanje i smatra se destruktivnim.