nsBAS EN IEC 63373:2026

Uopšteno govoreći, dinamičko ispitivanje otpornosti je mjera fenomena hvatanja naelektrisanja u GaN tranzistorima snage. Ova publikacija opisuje smjernice za dinamičko ispitivanje otpornosti rješenja GaN bočnih tranzistora snage. Metode ispitivanja mogu se primjeniti na sljedeće: a) GaN diskretni energetski elementi sa indukovanim i ugrađenim kanalom [1] b) GaN integrisana rješenja za napajanje c) gore navedeno u nivoima ploče i pakovanja Preporučuju se ispitivanja nivoa ploče da bi se minimizirali parazitski efekti pri izvođenju mjerenja visoke preciznosti. Za ispitivanja na nivou pakovanja, uticaj termičkih karakteristika pakovanja treba uzeti u obzir kako bi se minimizirale posljedice samozagrijavanja uređaja koji se ispituju (DUT). Propisane metode ispitivanja mogu se koristiti za karakterizaciju uređaja, ispitivanje proizvodnje, procjenu pouzdanosti i procjenu primjene GaN uređaja za pretvaranje snage. Ovaj dokument nije namjenjen da pokrije osnovne mehanizme dinamičke otpornosti u stanju vođenja i njegov simbolički prikaz za specifikacije proizvoda.